碳納米管芯片公司Nantero最新融資3150萬美元

致力于研發(fā)存儲器替代品的Nantero公司6月2日宣布已在第五輪融資中籌得3150萬美元，以發(fā)展碳納米技術。在這個由巨頭企業(yè)統(tǒng)治的行業(yè)中，一家半導體公司能獲得如此大額的投資實屬罕見。

這種基于超高速和高密集科技的存儲器，應用范圍十分廣泛，例如移動計算、可穿戴設備、電子消費品、航天航空、軍事應用、企業(yè)系統(tǒng)、汽車行業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)以及工業(yè)市場等等，它們可以用來替代閃存或動態(tài)隨機訪問存儲器。Nantero希望在未來可以研制出能夠存儲T級數(shù)據(jù)的存儲器，如果成功的話，那么使用該存儲器的移動設備就能容納數(shù)百部電影或數(shù)百萬首音樂了。

參與本輪融資的投資者有Charles River Ventures、Stata Ventures、Globespan Capital Partners、Harris & Harris Group以及Draper Fisher Jurvetson。 Nantero將這種新一代碳納米管存儲器命名為非易失性隨機訪問存儲器（NRAM）。人們只有在顯微鏡下才能看清這些微小存儲器的人造結構，盡管其管徑只有人類頭發(fā)的五萬分之一，但其強度卻是鋼的50倍，而密度又只有鋁的一半。

Nantero表示，這種存儲器的導熱性和導電性也要優(yōu)于其它材質(zhì)。NRAM存儲器具有低成本、組件可堆砌的特性。在接通電源的情況下，其讀寫速度比NAND閃存快了近100倍，與動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的速度近似。它們的生產(chǎn)可以在傳統(tǒng)的芯片工廠完成，電路之間的距離可縮小至5納米以下。該公司還表示，NRAM存儲器具有低能耗、高穩(wěn)定性以及經(jīng)久耐用的特點。

新型存儲器的制造往往在批量生產(chǎn)環(huán)節(jié)面臨著挑戰(zhàn)。Nantero表示，在過去的兩年中，對于每個存儲器上的碳納米管，公司已經(jīng)降低了十次成本。到目前為止，公司已經(jīng)生產(chǎn)了成千上萬個存儲器。

Nantero設在美國馬薩諸塞州沃本的總部共擁有50多名雇員，公司還在硅谷和日本設立了分部。Nantero成立于2001年，2008年從國防承包商Lockheed Martin那里脫離出來另立門戶，共擁有超過175項的美國專利，另外還有200項專利正在申請中。

Nantero目前的總裁兼首席執(zhí)行官由創(chuàng)始人之一的Greg Schmergel擔任，而另一位共同創(chuàng)始人Tom Rueckes則擔任首席技術官一職。前半導體行業(yè)協(xié)會主席George Scalise是公司顧問委員會的成員之一。

Nantero表示，多年來，NRAM存儲器的大規(guī)模生產(chǎn)一直在金屬氧化物半導體的工廠中進行著，共有7家類似的工廠布設了NRAM生產(chǎn)線。目前，公司已經(jīng)研發(fā)出了客戶所期待的4M存儲器樣品。Nantero還與前三甲的半導體公司達成了協(xié)議。

Nantero的聯(lián)合創(chuàng)始人Schmergel在一份聲明中表示，該項技術的研發(fā)正在多個世界級的工廠中進行著，十多位主要贊助商也在為NRAM而積極工作著，Nantero芯片很快就將進入批量生產(chǎn)階段。

WebFeet Research的創(chuàng)始人兼芯片分析師Alan Niebel認為，這項技術“能夠改變電子產(chǎn)品的未來。” Nantero顧問委員會的新成員包括前英特爾高級行政官Stefan Lai，他與他人共同研發(fā)了一種被稱之為電可編程只讀存儲器隧道氧化物（ETOX）快閃存儲器的關鍵存儲類型，以及前Inotera Memories執(zhí)行總裁（現(xiàn)董事會成員）的Yaw Wen Hu。

via VB, 快鯉魚翻譯，轉(zhuǎn)載表明出處